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部品番号(s) : SSP7442N
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : 20 A, 40 V, RDS(ON) 9 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET (Rev - 2010)
部品番号(s) : SSP7442N
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : 20 A, 40 V, RDS(ON) 9 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET
部品番号(s) : FDW258P
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : P-Channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET
部品番号(s) : SSP7421P
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : -20 A, -20 V, RDS(ON) 8.4 mΩ P-Channel Enhancement MOSFET (Rev - 2010)
部品番号(s) : SSP7421P
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : -20 A, -20 V, RDS(ON) 8.4 mΩ P-Channel Enhancement MOSFET
部品番号(s) : FDW258P
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : P-Channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET (Rev - 2008)
部品番号(s) : UT3416 UT3416L-AE3-R UT3416G-AE3-R
Unisonic Technologies
コンポーネント説明 : N-CHANNEL Enhancement MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR (Rev - 2009)
Unisonic Technologies
コンポーネント説明 : P-CHANNEL LOGIC LEVEL Enhancement MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
部品番号(s) : SSP7440N
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : 15 A, 40 V, RDS(ON) 15 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET (Rev - 2010)
部品番号(s) : SSP7440N
Secos Corporation.
コンポーネント説明 : 15 A, 40 V, RDS(ON) 15 mΩ N-Channel Enhancement MOSFET
部品番号(s) : FDS4072N7
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET (Rev - 2003)
部品番号(s) : UP2003 UP2003L-TN3-R UP2003G-TN3-R
Unisonic Technologies
コンポーネント説明 : 9A, 25V P-CHANNEL LOGIC LEVEL Enhancement MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR (Rev - 2012)
部品番号(s) : UP2003 UP2003L-TN3-R UP2003G-TN3-R
Unisonic Technologies
コンポーネント説明 : 9A, 25V P-CHANNEL LOGIC LEVEL Enhancement MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR (Rev - 2014)
部品番号(s) : FDR842P
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : P-Channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET
部品番号(s) : FDW2521C
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : Complementary PowerTrench® MOSFET (Rev - 2008)
部品番号(s) : 2SK3640 2SK3640-ZK
NEC => Renesas Technology
コンポーネント説明 : SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
部品番号(s) : FDR844P
Fairchild Semiconductor
コンポーネント説明 : P-Channel 1.8V Specified PowerTrench® MOSFET
部品番号(s) : TPC8202
Toshiba
コンポーネント説明 : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSVI)